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供应功率器件综合测试系统

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    EN-2005B功率器件综合测试系统

系统概述

西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统,设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。

面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果。前面板的小键盘方便了系统操作。通过小键盘,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。

系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用

应用领域



域 军工院所、高校、半导体器件生产厂商、

电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、

新能源汽车、轨道机车检修 等 ……



途 测试分析

器件选型

筛选检验

生产线 自动 批量 测试等 …… 。

技术指标

主极参数 控制极参数

指标 标配 选配 指标 标配 选配

①主极电压: 2000V 1000V ①控制极电压: 100mV-20V 80V

②电压分辨率: 1mV ②电压分辨率: 1mV

③主极电流: 50A 200A / 500A

800A / 1250A ③控制极电流: 100nA-10A 40A



④电流分辨率: 1nA 10pA

⑤测试精度: 0.2%+2LSB

⑥测试速度: 0.5mS/参数

测试范围 / 测试参数

序号 测试器件 测试参数

01 二极管

DIODE IR;BVR ;VF

02 晶体管

(NPN型/PNP型) ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;

BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF

03 J型场效应管

J-FET IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;

IDSS;GFS;VGSOFF

04 MOS场效应管 

MOS-FET IDSS;IDSV;IGSSF;  IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;

VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS

05 双向可控硅

TRIAC VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-

06 可控硅

SCR IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;

IGT;VGT;IL;IH

07 绝缘栅双极大功率晶体管

IGBT ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;

VGEON;VF;GFS

08 硅触发可控硅

STS IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;

VPK-;VGSW+;VGSW-


 
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